Follow ICT
شعار الموقع الاساسى

«سامسونج» تطور ذاكرة عملاقة بسعة 512 جيجابايت‎

كشفت شركة سامسونج للإكترونيات، أنها طورت أول ذاكرة DRAM DDR5 بسعة 512 جيجابايت بدقة تصنيع (HKMG).
وذكرت أكبر صانع لرقائق الذاكرة في العالم، أن وحدة الذاكرة الجديدة توفر ما يصل إلى ضعف أداء رقائق DDR4 DRAM بسرعة 7200 ميجابت في الثانية.

2021-03-22-224

وتُستخدم عملية HKMG عادة في تصنيع رقائق ”المنطق“، لكن سامسونج هي العلامة التجارية الأولى التي تستخدم هذه العملية لتصنيع شرائح DRAM.

كما تعد وحدة الذاكرة DDR5 الأحدث للشركة، مناسبة لبعض أكثر الأجهزة المتعطشة للحوسبة مثل: أجهزة الكمبيوتر العملاقة، والخوادم التي تعمل على الذكاء الاصطناعي والتعلم الآلي، وتحليلات البيانات، والبحوث الطبية.

كما تستخدم وحدات DDR5 الجديدة -أيضا- تقنية من خلال السيليكون عبر (TSV) لتكديس ما يصل إلى 8 طبقات من شرائح DRAM بسعة 16 جيجابايت لتوفير سعة إجمالية تبلغ 512 جيجابايت.

وتستهلك ذاكرة DDR5 DRAM الجديدة بدقة تصنيع HKMG طاقة أقل بنسبة 13٪؛ ما يجعلها مناسبة لمراكز البيانات حيث تكون كفاءة الطاقة مهمة.

جدير بالذكر، أن الشركة الكورية الجنوبية استخدمت في وقت سابق عملية HKMG لتصنيع ذاكرة GDDR6 في عام 2018 لوحدات معالجة الرسومات.

ويقوم قسم أشباه المُوصِلات في سامسونج -حاليا- بأخذ عينات من وحدات الذاكرة DDR5 الجديدة في أشكال مختلفة للعملاء للتحقق منها، وخلال الأسابيع القليلة المقبلة، ستحصل الوحدات النمطية على شهادة للاستخدام النهائي.

2021-03-44-73

من جانبه، قال يونج سو سون، نائب رئيس قسم تكنولوجيا ومنتجات رقاقات DRAM في سامسونج، إن سامسونج هي شركة أشباه الموصلات الوحيدة التي تتمتع بقدرات فائقة وخبرة لدمج تقنية HKMG المتطورة في تطوير منتجات الذاكرة.

وتابع يونج: ”كما يمكننا أن نقدم لعملائنا حلول ذاكرة عالية الأداء وموفرة للطاقة لتشغيل أجهزة الكمبيوتر اللازمة للبحوث الطبية والأسواق المالية والقيادة الذاتية والمدن الذكية وما وراء ذلك“.

ومن المقرر أن تستمر العملاق الكوري في التوسع في سوق الذاكرة والمنافسة بإصدارات جديدة خلال عام 2021.

اترك تعليق

لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني.